与传统硅基CMOS相比,其特点为:
1)器件开态、关态由自旋流大、小代表;
2)自旋流的产生是通过金属上的电流产生,且电流与自旋流沿不同回路流动;
3)自旋流可以通过栅压调控;
4)自旋场效应晶体管可将信息处理、存储功能融合。
通过该项目的实施,将完成原型样品形成原型并验证,项目完成时技术就绪度等级可达到6级。
集成电路、芯片,信息的存储、处理。
如计算机、超级计算机、手机。
★基于最新基础研究成果:巨磁矩效应
★具有自主知识产权:中国发明专利4项
★新型核心电子器件:自旋FET
★集成与硅基工艺兼容
★集成度高、能耗低、速度快
★2021年:自旋FET单元器件性能优化
★2022年:自旋FET逻辑门电路设计、构建
★2023年:自旋FET小规模集成、芯片展示